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Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena

Publikationen

  1. 2022

  2. Veröffentlicht

    Nonevaporable getter-MEMS for generating UHV conditions in small volumina

    Diekmann, L. F., Kassner, A., Dencker, F. & Wurz, M. C., Sept. 2022, in: Journal of Vacuum Science and Technology B. 40, 5, 054202.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  3. 2009

  4. Veröffentlicht

    Complementary metal oxide semiconductor integration of epitaxial Gd2 O3

    Lemme, M. C., Gottlob, H. D. B., Echtermeyer, T. J., Schmidt, M., Kurz, H., Endres, R., Schwalke, U., Czernohorkky, M., Tetzlaff, D. & Osten, H. J., 9 Feb. 2009, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 27, 1, S. 258-261 4 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  5. 2007

  6. Veröffentlicht

    Integration of functional epitaxial oxides into silicon: From high- K application to nanostructures

    Osten, H. J., Kühne, D., Laha, A., Czernohorsky, M., Bugiel, E. & Fissel, A., 31 Mai 2007, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 25, 3, S. 1039-1043 5 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  7. 2006

  8. Veröffentlicht

    Characterization of crystalline rare-earth oxide high-K dielectrics grown by molecular beam epitaxy on silicon carbide

    Fissel, A., Czernohorsky, M. & Osten, H. J., 26 Juli 2006, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 24, 4, S. 2115-2118 4 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  9. Veröffentlicht

    Fabrication of single-crystalline insulator/Si/insulator nanostructures

    Fissel, A., Kühne, D., Bugiel, E. & Osten, H. J., 25 Juli 2006, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 24, 4, S. 2041-2046 6 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  10. 2003

  11. Veröffentlicht

    Towards understanding epitaxial growth of alternative high-K dielectrics on Si(001): Application to praseodymium oxide

    Fissel, A., Osten, H. J. & Bugiel, E., 5 Aug. 2003, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 21, 4, S. 1765-1772 8 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  12. 2000

  13. Extern

    In search of optimum conditions for the growth of sharp and shallow B-delta markers in Si by molecular beam epitaxy

    Wittmaack, K., Griesche, J., Osten, H. J. & Patel, S. B., 1 Jan. 2000, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 18, 1, S. 524-258 267 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  14. 1998

  15. Extern

    Effects of carbon on boron diffusion in SiGe: Principles and impact on bipolar devices

    Osten, H. J., Heinemann, B., Knoll, D., Lippert, G. & Rücker, H., 1 Mai 1998, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 16, 3, S. 1750-1753 4 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  16. Extern

    Oxidation of Si1-yCy(0≤y≤0.02) strained layers grown on Si(001)

    Pressel, K., Franz, M., Krüger, D., Osten, H. J., Garrido, B. & Morante, J. R., Mai 1998, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 16, 3, S. 1757-1761 5 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  17. 1990

  18. Extern

    Fabrication of coupled quantum dot arrays with a 100–150 nm period

    Lee, K. Y., Kern, D. P., Ismail, K., Haug, R., Smith, T. P., Masselink, W. T. & Hong, J. M., Nov. 1990, in: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena. 8, 6, 1366-1370.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschung