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Publikationen
2022
- Veröffentlicht
Nonevaporable getter-MEMS for generating UHV conditions in small volumina
Diekmann, L. F., Kassner, A., Dencker, F. & Wurz, M. C., Sept. 2022, in: Journal of Vacuum Science and Technology B. 40, 5, 054202.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
2009
- Veröffentlicht
Complementary metal oxide semiconductor integration of epitaxial Gd2 O3
Lemme, M. C., Gottlob, H. D. B., Echtermeyer, T. J., Schmidt, M., Kurz, H., Endres, R., Schwalke, U., Czernohorkky, M., Tetzlaff, D. & Osten, H. J., 9 Feb. 2009, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 27, 1, S. 258-261 4 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
2007
- Veröffentlicht
Integration of functional epitaxial oxides into silicon: From high- K application to nanostructures
Osten, H. J., Kühne, D., Laha, A., Czernohorsky, M., Bugiel, E. & Fissel, A., 31 Mai 2007, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 25, 3, S. 1039-1043 5 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
2006
- Veröffentlicht
Characterization of crystalline rare-earth oxide high-K dielectrics grown by molecular beam epitaxy on silicon carbide
Fissel, A., Czernohorsky, M. & Osten, H. J., 26 Juli 2006, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 24, 4, S. 2115-2118 4 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
Fabrication of single-crystalline insulator/Si/insulator nanostructures
Fissel, A., Kühne, D., Bugiel, E. & Osten, H. J., 25 Juli 2006, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 24, 4, S. 2041-2046 6 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
2003
- Veröffentlicht
Towards understanding epitaxial growth of alternative high-K dielectrics on Si(001): Application to praseodymium oxide
Fissel, A., Osten, H. J. & Bugiel, E., 5 Aug. 2003, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 21, 4, S. 1765-1772 8 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
2000
- Extern
In search of optimum conditions for the growth of sharp and shallow B-delta markers in Si by molecular beam epitaxy
Wittmaack, K., Griesche, J., Osten, H. J. & Patel, S. B., 1 Jan. 2000, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 18, 1, S. 524-258 267 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
1998
- Extern
Effects of carbon on boron diffusion in SiGe: Principles and impact on bipolar devices
Osten, H. J., Heinemann, B., Knoll, D., Lippert, G. & Rücker, H., 1 Mai 1998, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 16, 3, S. 1750-1753 4 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
- Extern
Oxidation of Si1-yCy(0≤y≤0.02) strained layers grown on Si(001)
Pressel, K., Franz, M., Krüger, D., Osten, H. J., Garrido, B. & Morante, J. R., Mai 1998, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 16, 3, S. 1757-1761 5 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
1990
- Extern
Fabrication of coupled quantum dot arrays with a 100–150 nm period
Lee, K. Y., Kern, D. P., Ismail, K., Haug, R., Smith, T. P., Masselink, W. T. & Hong, J. M., Nov. 1990, in: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena. 8, 6, 1366-1370.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung